Si cl2: Keevitaja/elektriku talvejope Multi 6004 kõrgn CL2, oranz/si S

Keevitaja/elektriku talvejope Multi 6004 kõrgn CL2, oranz/si S

новый!

StokkerPRO

Мы ценим Ваше время.

› Рабочая одежда и рабочая обувь › Рабочая одежда для сварщиков › Keevitaja talvejoped › Keevitaja/elektriku talvejope Multi 6004 kõrgn CL2, oranz/si S

Код товара: 6004B_S&DIMEX   MPN: 6004B_S   GTIN: 6417845806560   , C

multi sarja kõrgnähtav talvine tööjope pakub kaitset keevitamisel, kuumuse ja leekide, kaarleegi eest, kemikaalidega töötamisel. Rinnataskud, paremal pool väljatõmmatava dokumendiümbrisega (pikuti/laiuti) ja vasakul pool pliiatsija mobiilitaskutega. Tõmblukuga küljetaskud. Tõmblukuga põuetasku ja sisemine mobiilitasku. Esiliist. Sirged reguleeritavad varrukad ja alumine serv.

EN ISO 20471:2013, klass 2 — Kõrgnähtavad riided.
EN ISO 11612 A1, B1, C1, E1 — Kuumuse ja leekide eest kaitset pakkuv.

EN ISO 11611, klass 1 — Keevitamisel ja sellega liituvatel toimingutel kaitset pakkuv.
EN 1149-5:2008 — Elektrostaatilised omadused staatilise elektri tekke vastu.
IEC 61482-2:2009, klass 1 (4KA) — Kaarleegi eest kaitset pakkuv.
EN 13034, TÜÜP 6 — Vedelate kemikaalide eest kaitset pakkuv.

75% puuvill, 24% polüester,
Sobivad keevitajale ja elektrikule.

Прочитать все описание →

Выберите размер / модель

2XL⬤3XL⬤L⬤M⬤S⬤XL⬤

264.00 €

или Оплатите позже ➂ частями.

Цена с бонусом StokkerPRO 132.00 € +132 очки

Заказать товар

← вернуться

• Oписание
• Информация товара
• Доступность

• multi sarja kõrgnähtav talvine tööjope pakub kaitset keevitamisel, kuumuse ja leekide, kaarleegi eest, kemikaalidega töötamisel. Rinnataskud, paremal pool väljatõmmatava dokumendiümbrisega (pikuti/laiuti) ja vasakul pool pliiatsija mobiilitaskutega.
  Tõmblukuga küljetaskud. Tõmblukuga põuetasku ja sisemine mobiilitasku. Esiliist. Sirged reguleeritavad varrukad ja alumine serv.

  EN ISO 20471:2013, klass 2 — Kõrgnähtavad riided.
  EN ISO 11612 A1, B1, C1, E1 — Kuumuse ja leekide eest kaitset pakkuv.
  EN ISO 11611, klass 1 — Keevitamisel ja sellega liituvatel toimingutel kaitset pakkuv.
  EN 1149-5:2008 — Elektrostaatilised omadused staatilise elektri tekke vastu.
  IEC 61482-2:2009, klass 1 (4KA) — Kaarleegi eest kaitset pakkuv.
  EN 13034, TÜÜP 6 — Vedelate kemikaalide eest kaitset pakkuv.

  75% puuvill, 24% polüester,
  Sobivad keevitajale ja elektrikule. Фото носит иллюстративный характер
  

• масса	1.61 кг
  Ширина	441 мм
  Глубина	581 мм
  Высота	65 мм
  единица измерения	шт
  EAN / GTIN	6417845806560
  Код товара	6004B_S&DIMEX
  MPN	6004B_S

• Центральный склад Эстония	0 шт
  В наличии на складе поставщика	5+ шт

• Информация о доставке

 

Ära vajuta

Stokker использует файлы cookie. Продолжая, вы соглашаетесь на использование файлов cookie. Чтобы отказаться от файлов cookie, измените настройки веб-браузера вашего устройства и удалите сохраненные файлы cookie.

Политика конфиденциальности

Изменить настройки

Согласен

? => SiCl4 (тетрахлорид кремния)

Поиск

= тетрахлорид кремния

Новости Только 5% НАСЕЛЕНИЯ знают

Реклама

1 результатов найдено
Отображение уравнения от 1 до 1 Страница 1 — Пожалуйста, прокрутите до конца, чтобы увидеть больше результатов

Уравнение Результат #1

Нажмите, чтобы увидеть более подробную информацию и рассчитать вес/моль >>

Oxidation-reduction reaction

‘>

png» substance-weight=»70.9060″> 2Cl 2	+	Si	→	SiCl 4
chlorine		silicon		тетрахлорид кремния
2		1		1	Hệ số
					Nguyên — Phân tử khối (g/ Мол)
					Số MOL
					kốI LượNG (г)0006

Реклама

Дополнительная информация об уравнении 2Cl

₂ + Si → SiCl ₄

В каких условиях Cl2 (хлор) реагирует с Si (кремний)?

Температура: 340 — 420°C Другое Состояние: в токе аргона

Объяснение: идеальные условия окружающей среды для реакции, такие как температура, давление, катализаторы и растворитель. Катализаторы — это вещества, которые ускоряют темп (скорость) химической реакции, не потребляясь и не становясь частью конечного продукта. Катализаторы не влияют на равновесные ситуации.

Как могут происходить реакции с образованием SiCl4 (тетрахлорид кремния)?

Явление после реакции Cl2 (хлор) с Si (кремний)

Это уравнение не несет никакой конкретной информации о явлении.

В этом случае вам просто нужно наблюдать, чтобы убедиться, что вещество продукта SiCl4 (тетрахлорид кремния), появляющийся в конце реакции.

Или если какое-либо из следующих реагентов Si (кремний), исчезающий

Какую другую важную информацию вы должны знать о реакции

У нас нет дополнительной информации об этой химической реакции.

Категории уравнений

Нажмите, чтобы увидеть более подробную информацию и рассчитать вес/моль >>

Дополнительные вопросы, связанные с химическими реакциями 2Cl

₂ + Si → SiCl ₄

Вопросы, связанные с реагентом Cl2 (хлор)

Каковы химические и физические характеристики Cl2 (хлор)? Какие химические реакции происходят имеют Cl2 (хлор) в качестве реагента?

Вопросы, связанные с реагентом Si (кремний)

Каковы химические и физические характеристики Si (кремния)? В каких химических реакциях используется Si (кремний) в качестве реагента?

Вопросы, связанные с продуктом SiCl4 (тетрахлорид кремния)

Каковы химические и физические характеристики SiCl4 (кремний)? Какие химические реакции происходят с SiCl4 (тетрахлоридом кремния) в качестве продукта?

1 результатов найдено
Отображение уравнения из 9от 0023 1 до 1 Страница 1

Дополнительная информация о веществах, которые используют уравнение

Реакция Cl2 (clo) реакция с Si (кремнезем) с образованием SiCl4 (кремний тетрахлоруа) , температурный режим 340-420

Реакция с образованием вещества Cl2 (clo) (хлор)

2H ₂ O + 2NaCl → Cl ₂ + H ₂ + 2NaOH CuCl ₂ → Cl ₂ + Cu FeCl 90944 20045 → Cl ₂ + Fe

Реакция с образованием вещества SI (кремний) (кремний)

2C + SIO ₂ → 2CO + SI 2ZN + SICL ₄ → SI + 2ZNCL ₂ 4AL + 3SIO ₂ → 2AL ₂ O ₃ 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 ₃ 3 3 _{3 3 3 39}

Реакция, в результате которой образуется вещество SiCl4 (тетрахлорид кремния) (тетрахлорид кремния)

2Cl ₂ + Si → SiCl ₄ 2Cl ₂ + SiC → C + SiCl ₄ 4Cl _{2 → O} + 9SiO0044 2 + 2SiCl ₄

Essentt — Подобранные вручную продукты

Подобранные вручную продукты незаменимы при работе из дома!

Взаимодействие стенок камеры с плазмой HBr/Cl2/O2, изученное методом «вращающейся стенки»

Abstract

Плазменное травление – широко используемый метод моделирования материалов при изготовлении микроэлектронных устройств.

Поскольку минимальные размеры элементов, или так называемые критические размеры, превышают 14 нм, процессы плазменного травления требуют еще более строгого контроля. При низких давлениях в диапазоне 1-100 мТорр, типичных для современных плазменных процессов, длина свободного пробега частиц в ~см сравнима с размерами реактора. Следовательно, газофазные реакции (особенно процессы трех тел) становятся менее вероятными, и все большее значение приобретают гетерогенные реакции на стенках камеры. Поверхностные слои, образующиеся на стенках реактора, становятся источником образования или гибели видов. В результате изменение состава плазмы приводит к дрейфу процесса, что приводит к изменениям скорости травления, профилей, селективности и выхода. Поэтому первостепенное значение имеет понимание взаимодействия плазмы с поверхностями стенок динамической камеры. Плазма HBr используется для травления Si, а также GaN, PZT, InP, оксида индия-цинка и других материалов. При травлении Si плазма HBr создает лучшие анизотропные профили, чем плазма Cl2, с лучшей селективностью по отношению к SiO2. Селективность может быть дополнительно улучшена путем добавления кислорода в плазму. Состав исходного газа для плазмы HBr/Cl2/O2 оптимизирован для наилучшего удовлетворения потребностей конкретного применения. Поддержание стабильности такого сложного процесса во времени требует жесткого контроля над всеми параметрами плазмы, включая состояние стенок реактора. Здесь мы изучили взаимодействие индуктивно-связанной плазмы HBr/Cl2/O2 с отложениями на стенках камеры реактора с травлением Si и без него с использованием метода «вращающейся стенки». Вращающаяся стенка является частью стенок камеры реактора, что позволяет анализировать состав поверхностных слоев в режиме, близком к реальному, с помощью электронной оже-спектроскопии и определять вещества, десорбирующиеся со стенок, с помощью масс-спектрометрии. В плазме HBr без напряжения смещения на подложке Si и, следовательно, без травления Si, HBr диссоциирует ~30% и в плазме образуются h3 и Br2. Слои, нанесенные на камеру реактора, в этих условиях практически не содержали Br. Добавление O2 в плазму HBr приводит к образованию продуктов Br2 и h3O, которые десорбируются с вращающейся стенки. h3O имеет очень длительное время пребывания на поверхности. При подаче напряжения смещения на подложку Si в плазме HBr, SiBr и SiBr3 являются заметными сигналами масс-спектрометра, SiBr2 и SiBr4, по-видимому, являются основными компонентами газовой фазы, а слой SiOxBry осаждается на вращающейся стенке. Добавление 20% O2 к HBr останавливает травление и удаляет Br из поверхностного слоя, указывая на то, что Br на стенках реактора является результатом удара SiBrx, а не бромирования при ударе Br. При использовании плазмы HBr/Cl2 и отсутствии смещения на предметном столике осаждается слой SiOxCly; Br не обнаружен. Кроме того, масс-спектр газовой смеси HBr и Cl2 без плазмы выявил частицы HCl, Br2 и BrCl. Дальнейшие эксперименты показали, что эти продукты были результатом реакций между HBr и Cl2 на стенках плазменного реактора. С плазмой и смещением на подложке Si и Br, и Cl включаются в осаждающий слой.