Sio2 si: Si → SiO2 → Na2SiO3 → H2SiO3 → SiO2 → Si → Mg2Si → SiH4…

alexxlab / / Разное

Содержание

Влияние облучения пучком низкоэнергетических электронов на вольт-фарадные характеристики структуры Al/SiO2/Si | Куланчиков

1. O. Jbara, M. Belhaj, S. Odof, K. Msellak, E. I. Rau, M. V. Andrianov. Surface potential measurements of electron-irradiated insulators using backscattered and secondary electron spectra from an electrostatic toroidal spectrometer adapted for scanning electron microscope applications. Rev. Sci. Instrum., 2001, 72, 1788-1795.

2. J. Cazaux. Scenario for time evolution of insulator charging under various focused electron irradiations. J. Appl. Phys., 2004, 95, 731-742.

3. G. Di Santo, C. Coluzza, R. Flammini, R. Zanoni, F. Decker. Spatial, energy, and time-dependent study of surface charging using spectroscopy and microscopy techniques. J. Appl. Phys. 2007, 102, 114505.

4. O. Jbara, S. Fakhfakh, M. Belhaj, S. Rondot, A. Hadjadj, J. M. Patat. Charging effects of PET under electron beam irradiation in a SEM. J. Phys. D: Appl. Phys., 2008, 41, 245504.

5. N. Cornet, D. Goeuriot, C. Guerret-Piecourt, D. Juve, D. Treheux, M. Touzin, H.-J. Fitting. Electron beam charging of insulators with surface layer and leakage currents. J. Appl. Phys., 2008, 103, 064110.

6. H. Fitting, X. Meyza, C. Guerret-Piecourt, C. Dutriez, M. Touzin, D. Goeuriot, D. Treheux. Selfconsistent electrical charging in insulators. J. Europ. Ceramic Soc., 2005, 25, 2799–2803.

7. M. Belhaj, O. Jbara, M. N. Filippov, E. I. Rau, M. V. Andrianov. Analysis of two methods of measurements of surface potental of insulators in SEM: electron spectroscopy and X-ray spectroscopy methods. Appl. Surf. Sci., 2001, 177, 58-65.

8. Э. И. Рау, А. А. Татаринцев, С. Ю. Купреенко, С. В. Зайцев, Н. Г. Подбуцкий. Сравнительный анализ методов измерения потенциалов зарядки диэлектриков при электронном облучении в сканирующем электронном микроскопе. Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования, 2017, № 10, 69–76.

9. Э.И. Рау, А.А. Татаринцев, Е. Ю. Зыкова, И.П. Иваненко, С.Ю. Купреенко, К.Ф. Миннебаев, А.А. Хайдаров. Электронно-лучевая зарядка диэлектриков, предварительно облученных ионами и электронами средних энергий. ФТТ, 2017, 59, 1504-1513.

10. Э. И. Рау, Е.Н. Евстафьева, М.В. Андрианов. Механизмы зарядки диэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий, ФТТ, 2008, 50, 599-607.

11. T. R. Oldham, F. B. McLean, Total Ionizing Dose Effects in MOS Oxides and Devices, IEEE Trans. Nucl. Sci., 2003, 50, №3, 483-498.

12. J. R. Schwank, M. R. Shaneyfelt, D. M. Fleetwood, J. A. Felix, P. E. Dodd, P. Paillet, V. Ferlet-Cavrois, Radiation Effects in MOS Oxides, IEEE Trans. Nucl. Sci., 2008, 55, №4, 1833-1853.

13. D. K. Schroder, Semiconductor materials and device characterization, 3rd edn. Hoboken, New Jersey, John Wiley & Sons, Inc., 2006, pp.781.

14. С.С. Борисов, П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов. Исследование индуцированной электронным пучком проводимости в тонких пленках окиси кремния. Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования, 2010, № 9, 62–66.

15. I. A. Glavatskikh, V. S. Kortov, H.-J. Fitting, Self-consistent electrical charging of insulating layers and metal-insulator-semiconductor structures. J. Appl. Phys., 2001, 89, 440-448.

16. G. Groeseneken, R. Bellens, G. Van den Bosch, H. E. Maes. Hot-carrier degradation in submicrometre MOSFETs: from uniform injection towards the real operating conditions. Semicond. Sci. Technol., 1995, 10, 1208-1220. 17. A. Acovic, G. La Rosa, Y.-C. Sun. A review of hot-carrier degradation mechanisms in MOSFETs. Microelectr. Reliab., 1996, 36, 845-869.

17. D. Vuillaume, A. Bravaix, and D. Goguenheim, Hot-carrier injections in SiO2, Microel. Reliab., 1998, 38, 7-22.

18. M. Cho, P. Roussel, B. Kaczer, R. Degraeve, J. Franco, M. Aoulaiche, T. Chiarella, T. Kauerauf, N. Horiguchi, and G. Groeseneken, Channel Hot Carrier Degradation Mechanism in Long/Short Channel n-FinFETs, IEEE Trans. Electron Dev. , 2013, 60, 4002-4007.

19. A. J. Lelis, T. R. Oldham, H. E. Boesch, Jr, F. B. McLean, The nature of the trapped hole annealing process, IEEE Trans. Nucl. Sci., 1989, 36, 1808-1815.

20. M. Schmidt, and H. Köster Jr, Hole Trap Analysis in SiO2/Si Structures by Electron Tunneling, Phys. Stat. Sol. (b), 1992, 174, 53-66.

Спектры нарушенного полного внутреннего отражения азотированных структур SiO2/Si

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/291812

Title: Спектры нарушенного полного внутреннего отражения азотированных структур SiO2/Si
Other Titles: Attenuated Total Reflection Spectra of Nitrided SiO2/Si Structures / Odzhaev V. B., Pyatlitski A.N., Prosolovich V.S., Kovalchuk N.S., Soloviev, Ya. A., Zhygulin D.V., Shestovsky D.V., Yankovski, Yu. N. Brinkevich D.I.
Authors: Оджаев, В. Б.
Петлицкий, А. Н.
Просолович, В. С.
Ковальчук, Н. С.
Соловьев, Я. А.
Жигулин, Д. В.
Шестовский, Д. В.
Янковский, Ю. Н.
Бринкевич, Д. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2022
Publisher: ГНУ «Институт физики им. Б.И.Степанова Национальной академии наук Беларуси»
Citation: Журнал прикладной спектроскопии. 2022;89(4):498-504.
Abstract: Методами нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) и времяпролетной массспектрометрии вторичных ионов изучено поведение азота в пленках диоксида кремния на подложках монокристаллического кремния. Азот вводился в диэлектрик, сформированный методом пирогенного окисления при температуре 850ºС в атмосфере влажного кислорода, имплантацией ионов N+ энергией 40 кэВ дозами 2.
–1 , which is probably due to vibrations of double cumulative bonds of the O=Si=N− type. The formation of these bonds is due to the interaction of nitrogen with dangling bonds at the silicon-dielectric interface, as a result of which uncompensated or strained bonds are replaced by more stable ones. The resulting stronger chemical bonds prevent charge accumulation on the surface of the SiО2/Si interface.
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/291812
DOI: 10.47612/0514-7506-2022-89-4-498-504
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Show full item record Google Scholar

Найти подобные публикации

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

Si + SiO2 Wafers — Nanografi

Слой термического оксида или диоксида кремния образуется на голой поверхности кремния при повышенной температуре в присутствии окислителя, этот процесс называется термическим окислением. Термический оксид обычно выращивают в горизонтальной трубчатой ​​печи при температуре от 900°C до 1200°C с использованием «мокрого» или «сухого» метода выращивания.

Термический оксид представляет собой своего рода «выращенный» оксидный слой, по сравнению с оксидным слоем, нанесенным CVD, он имеет более высокую однородность и более высокую диэлектрическую прочность, он является отличным диэлектрическим слоем в качестве изолятора. В большинстве устройств на основе кремния термический оксидный слой играет важную роль в умиротворении поверхности кремния, выступая в качестве легирующих барьеров и поверхностных диэлектриков.

Компания Nanografi предлагает термооксидные пластины диаметром от 1 до 8 дюймов. Мы всегда выбираем первоклассные и бездефектные кремниевые пластины в качестве подложки для выращивания высокооднородного термооксидного слоя в соответствии с вашими конкретными требованиями.