Триод полупроводниковый: Полупроводниковый триод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Полупроводниковый триод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Cтраница 1

Полупроводниковые триоды, называемые также транзисторами, представляют собой трехэлектродные приборы, обладающие, подобно электронным лампам, усилительными свойствами.  [1]

Устройство плоскостного диода, ( схематический разрез.  [2]

Полупроводниковый триод, называемый также транзистором, представляет собой пластинку, состоящую из полупроводников двух различных проводимостей, которые образуют три зоны. Крайние зоны обладают проводимостью одного рода, а средняя зона — проводимостью другого рода.  [3]

Включение триода в цепь для усиления электрического сигнала.| Условное изображение транзистора ( триода в схемах.  [4]

Полупроводниковый триод включается в схему для усиления таким образом, что образуются две цепи — входная, или управляющая цепь и выходная, или управляемая цепь.

 [5]

Полупроводниковые триоды ( транзисторы) служат для преобразования электрических сигналов и, в частности для усиления сигналов по мощности. Усилительные свойства транзисторов обусловлены наличием в них двух p — n — переходов, создаваемых в монокристаллической пластинке полупроводника.  [6]

Полупроводниковые триоды ( транзисторы) служат для преобразования электрических сигналов и, в частности, для усиления сигналов по мощности. Усилительные свойства транзисторов обусловлены наличием в них двух — — переходов, создаваемых в монокристаллической пластинке полупроводника. Следовательно, они имеют не две, как у диодов, а три области с определенным типом проводимости. В соответствии с этим переход между эмиттером и базой называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Если сравнить транзистор с электронной лампой, то база выполняет роль управляющей сетки, эмиттер — роль катода, а коллектор — анода.  [7]

Схема четырехполюсника.  [8]

Полупроводниковый триод по существу представляет собой электрический четырехполюсник. В рассматриваемом случае его база является общей клеммой для входа и выхода.  [9]

Полупроводниковый триод как элемент электрической схемы для случая медленных изменений его токов полностью описывается статическими вольт-амперными характеристиками.  [10]

Статические анодные и анодно-сеточные характеристики электронной лампы.  [11]

Полупроводниковый триод характеризуется конечным, часто весьма небольшим, входным сопротивлением.  [12]

Полупроводниковые триоды в отличие от электронных ламп не выдерживают даже мгновенных перенапряжений.  [13]

Полупроводниковый триод, работающий в ключевом режиме ( в дальнейшем такой триод будем называть просто ключом), может быть включен по любой из возможных схем: с общей базой, с общим эмиттером или с общим коллектором.  [14]

Полупроводниковые триоды — транзисторы обладают меньшими размерами и весом, большей экономичностью в потреблении электроэнергии, значительной механической прочностью и большим сроком службы по сравнению с вакуумными электронными лампами, кроме того, они отличаются по многим физическим свойствам. Например, участок катод — анод лампы представляет собой вакуумный диод, находящийся в открытом состоянии. Участки база-коллектор или эмиттер-коллектор представляют собой полупроводниковые диоды в закрытом состоянии.  [15]

Страницы:      1    2    3    4    5

Г. Полупроводниковый триод (транзистор) — КиберПедия

Навигация: Главная Случайная страница Обратная связь ТОП Интересно знать Избранные Топ: Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации — обмен информацией между организацией и её внешней средой. .. Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов… Основы обеспечения единства измерений: Обеспечение единства измерений — деятельность метрологических служб, направленная на достижение… Интересное: Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления… Финансовый рынок и его значение в управлении денежными потоками на современном этапе: любому предприятию для расширения производства и увеличения прибыли нужны… Берегоукрепление оползневых склонов: На прибрежных склонах основной причиной развития оползневых процессов является подмыв водами рек естественных склонов… Дисциплины: Автоматизация Антропология Археология Архитектура Аудит Биология Бухгалтерия Военная наука Генетика География Геология Демография Журналистика Зоология Иностранные языки Информатика Искусство История Кинематография Компьютеризация Кораблестроение Кулинария Культура Лексикология Лингвистика Литература Логика Маркетинг Математика Машиностроение Медицина Менеджмент Металлургия Метрология Механика Музыкология Науковедение Образование Охрана Труда Педагогика Политология Правоотношение Предпринимательство Приборостроение Программирование Производство Промышленность Психология Радиосвязь Религия Риторика Социология Спорт Стандартизация Статистика Строительство Теология Технологии Торговля Транспорт Фармакология Физика Физиология Философия Финансы Химия Хозяйство Черчение Экология Экономика Электроника Энергетика Юриспруденция

⇐ ПредыдущаяСтр 8 из 31Следующая ⇒ Транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, имеющий два взаимодействующих электронно-дырочных перехо­да. Основой устройства транзисторов является монокристалл полупро­водника с двумя близко расположенными и взаимодействующими p- n. переходами. При этом чередование областей разнотипной прово­димости монокристалла проводника может быть как p — n — p, так и n — p — n (рис. 2.8). Наибольшее распространение получили плоскостные транзисторы типа p-n-p (технология изготовления их проще). Левая область, имеющая меньшие размеры, называется эмиттером (Э), правая — коллектором (К). Область кристалла, находящая­ся между эмиттером и коллектором с проводимостью типа n, называется базой (Б). Концентрация примесных атомов в каждой их этих областей различна. Наибольшую плотность ОНЗ имеет эмиттер, наименьшую — база. Эмиттер (Э) транзистора подобен катоду вакуумного триода, база (Б) подобна сетке, а коллектор (К) — аноду. Принято электронно-дырочный переход эмиттер-база называть эмиттерным переходом, а переход база-коллектор — коллекторным. Природа электронно-дырочных переходов транзистора такая же, как и у диода. Если внешнее напряжение к транзистору не подклю­чено, то на его электронно-дырочных переходах возникают такие же потенциальные барьеры, как и у диода. Транзистор представляет собой как бы два последовательно соединенных электронно-дырочных перехода. Для транзистора типа р — n — р крайние его части обладают дырочной проводи­мостью, а средняя — электронной. Принцип действия транзистора рассмотрим на примере транзистора типа n — p — n (p — n –p аналогичен), когда к эмиттерному переходу подключен источник Еэ (для германиевых триодов Еэ = 0,1-1 В) в прямом направлении и понижающий потенциальный барьер, а к коллекторно­му переходу источник напряжения Ек (Ек = 5-30 В) в обратном на­правлении и повышающий потенциальный барьер (рис. 2.9). Как видно их схемы включения, транзистор имеет две электрические цепи: эмиттерную и коллекторную. Эмиттерная или входная цепь состоит из источника постоян­ного напряжения Еэ, эмиттерного перехода, включенного в прямом направлении. Коллекторная или выходная цепь состоит из источника по­стоянного напряжения Ек и коллекторного перехода, включенного в обратном направлении Ек >> Еэ. База и базовый вывод являют­ся общим элементом для входной и выходной цепей транзистора, поэтому рассматриваемая схема включения транзистора называется схемой с общей базой. В результате подачи внешних напряжений в транзисторе про­исходят следующие физические процессы. При снижении потенциального барьера эмиттерного перехода диффузия дырок в базу увеличивается. Навстречу дыркам к эмитте­ру устремляются электроны базы. Так возникает эмиттерный ток Iэ, который состоит из дырочной составляющей Iэр и электрон­ной Iэn. Однако, учитывая, что толщина базы ничтожно мала (0,1-1,2 мм) и концентрация электронов в базе примерно на два порядка меньше концентрации дырок в эмиттере, электронная состав­ляющая тока Iэn. мала и им можно пренебречь. Следовательно, ток эмиттера Iэ Iэn определяется дырочной составляющей тока. Войдя в базу, дырки перемещаются в направлении коллектора, так как концентрация их вблизи коллекторного перехода меньше, чем у эмиттерного. Так как толщина базы мала, то лишь ничтожная часть дырок успеет рекомбинировать с электронами базы, обуславли­вая ток базы Iб. Количество рекомбинаций составляет 1-5 % от общего количества инжектированных дырок, поэтому Iб=(1-5)% Iэ. Пройдя базу, дырки попадают в зону действия электрического поля (Е) коллекторного перехода, включенного в обратном направ­лении, но для дырок являющегося ускоряющим (силовые линии направ­лены от базы к коллектору, т.е. от «+» к «-» источника). Поэто­му дырки перебрасываются в область коллектора, где рекомбинируются с электронами, поступающими от источника Ек. Появляется ток коллектора Iк, величина которого опреде­ляется количеством переброшенных дырок из базы в коллектор. В соответствии с первым законом Кирхгофа Iэ = Iб + Iк. Отсюда Iк = Iэ — Iб = (95-99)% Iэ = Iэ, ибо Iб = (1-5) % Iэ, где =0. 95-0,99, — коэффициент усиления по току или коэффициент передачи тока эмиттера. Если во входную цепь транзистора последовательно с источни­ком Еэ подключить источник сигнала в виде переменного напряжения ~Uвх, то на эмиттерный переход будет воздействовать два на­пряжения: Uэб = ~Uвх + Eэ. Величина потенциального барьера, а, следовательно, и ток будет изменяться по закону изменения сигнала ~Uвх. По этому же закону будет изменяться и выходной ток Iк, ибо Iк = Iэ. Таким образом, принцип действия транзистора основан на воз­можности управления выходным током посредством изменения вход­ного тока, т.е. транзистор является управляемым прибором. Поскольку напряжение в цепи коллектора (Ек) в десятки раз больше напряжения в цепи эмиттера (Eэ), а токи практически в этих цепях равны (Iк= Iэ, где близок к единице), то Pвх = Uэб Iэ, а Pвых=Uбк Iэ (Uбк — десятки вольт, а Uэб – доли вольт), то Pвых>>Pвх. Следовательно, транзистор является усилительным прибором. Как и электронная лампа с сеточным управлением, транзистор мо­жет быть в открытом и запертом (закрытом) состояниях. Транзистор считается открытым, если через него протекает токи Iэ, Iб, Iк . Для этого необходимо, чтобы Uбэ < 0 и включено в прямом направлении. Для запирания транзистора необхо­димо эмиттерный и коллекторный p — n переходы включить в об­ратном направлении. В запертом состоянии в цепях электродов тран­зистора проходят обратные токи Iэо, Iбо, Iко. Таким образом, в отличие от электронных ламп, в которых в запертом состоянии токи в цепях электродов равны нулю, транзис­тор можно запереть только до величины обратных токов через p — n, переходы.   Третий учебный вопрос. ⇐ Предыдущая3456789101112Следующая ⇒ Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим. .. Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)… Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ — конструкции, предназначен­ные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой… Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции… 

Идентификация и обнаружение полупроводниковых триодов

Идентификация и обнаружение полупроводниковых триодов.

Триодный транзистор, также называемый полупроводниковым триодом, также называемый биполярным транзистором и кристаллическим триодом, представляет собой полупроводниковое устройство, использующее ток для управления током. Его функция заключается в преобразовании слабого сигнала в электрический сигнал большой амплитуды, а также в используется как бесконтактный переключатель.

Классификация триода

По материалу: кремниевая трубка, германиевая трубка.

по структуре: НПН, ПНП.

В зависимости от функции: трубка переключателя, силовая трубка, трубка Дарлингтона, светочувствительная трубка и т. д.

В соответствии с мощностью: транзистор малой мощности, транзистор средней мощности, транзистор высокой мощности. _В зависимости от рабочей частоты: низкочастотная трубка, высокочастотная трубка, сверхчастотная трубка. В соответствии со структурой и процессом, трубка из сплава и плоская трубка.

По способу установки: подключаемый транзистор, патч-транзистор.

Обнаружение триода и триода

Стрелочный мультиметр для проверки триода

Обнаружение общего триода стрелочным мультиметром

При использовании стрелочного мультиметра для определения трех электродов, полярности и хорошего или плохого общего триода выберите RX100 или RXlk механизм.

Три перевернутых, ищите основание: с помощью черной ручки соедините ножку (при условии, что это полюс B), красную ручку соедините с двумя другими ножками соответственно, и измеряются два значения сопротивления, оба больше или меньше; изменение ручки, красная ручка для подключения ноги, черная ручка соответственно к двум другим ногам, измеренные два электрических значения, меньше или больше (Примечание: два узла измерения. Результат противоположный. Это указывает на то, что Транзистор исправен, а предполагаемый вывод является базой 9.0003

PN-переход, фиксированный тип полюса: черная поверхность щетки контактирует с основанием, красная поверхность щетки контактирует с двумя другими полюсами, мультиметр указывается как низкое сопротивление, затем трубка — NPN; с другой стороны, мультиметр показывает высокое сопротивление, тогда трубка PNP.

Внутренняя эквивалентная схема транзистора показана на рисунке. При измерении необходимо постоянно думать об этой схеме, чтобы достичь практики.

Оцените коллектор и эмиттер по стрелке, отклоните большое; Неуверенно, переместите рот. Поставьте стрелку мультиметра типа «RX100» или «RX1k», возьмите трубку NPN в качестве примера, подсоедините черную ручку к гипотетической коллектор C. Красная ручка получает гипотетический эмиттер E и удерживает полюса B и C руками (без прямого контакта между B и C) и пропускает сопротивление смещения между B и C через тело человека, эквивалентное B , C, и снимите показания с часовой головки. Затем повторно измеряется сопротивление двух ручек, как показано на рисунках 1, 2, 4. Если первое измеренное сопротивление меньше, чем во второй раз, первоначальная гипотеза подтверждается.

Определите значение бета с помощью ограничителя hFE мультиметра: Наберите мультиметр на шестерню hFE. Три контакта C, B и E транзисторов вставлены в соответствующие гнезда, и текущий коэффициент усиления (бета) трубки считывать со счетчика.

Распределение тока и управление полупроводниковым триодом

Знания Новости Технологии

2 декабря 2021 г. micohuang

Биполярный полупроводниковый транзистор должен быть подключен к правильному напряжению смещения постоянного тока, когда он работает. Если он находится в состоянии усиления: прямое напряжение подается на передающий переход, а обратное напряжение подается на коллекторный переход. Теперь возьмите состояние усиления транзистора NPN в качестве примера, чтобы проиллюстрировать текущее соотношение внутри транзистора, см. рисунок.

Рис. Зависимость передачи тока биполярного транзистора

Когда эмиттерный переход смещен положительно, большое количество электронов диффундирует из эмиттерной области в базовую, и результирующий ток равен I _EN . То же, что и в PN-переходе. Также имеет место диффузионное движение дырок из области базы в область эмиттера, но их количество невелико, а образующийся ток равен I _ЕР . Это связано с тем, что концентрация легирования эмиттерной области намного больше, чем концентрация легирования базовой области.
Поток электронов в область базы с меньшей вероятностью рекомбинирует из-за низкой концентрации дырок в области базы. А поскольку область базы очень тонкая, под действием обратного напряжения смещения коллекторного перехода электроны остаются в базовой области на короткое время, и быстро перейти к краю коллекторного перехода и войти в зону электрического поля перехода коллекторного перехода. Собирается коллектором для формирования коллекторного тока I _CN .Ток, образованный рекомбинирующими электронами в базовой области, равен I _BN .
Кроме того, за счет обратного смещения коллекторного перехода неосновные носители в области коллекторного перехода образуют дрейфовый ток I _CBO . Тогда можно получить следующее текущее соотношение:

I E = I EN + I EP 0052	И есть I EN >> I EP
И ЭН = И ЦН + И БН	А есть I EN >> I БН , I ЦН >> I БН
I C = I CN + I CBO
И Б = И ЭП + И БН – И СВО 6
I E = I EP + I EN = I EP + I CN + I BN =( I CN + I CBO ) + ( I BN + I EP – I CBO )= I C + I B

Вышеуказанные отношения показаны на рисунке.